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Si7120DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
3000
2500
C iss
2000
0.06
1500
0.04
1000
V GS = 4.5 V
0.02
500
C oss
C rss
V GS = 10 V
0.00
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 10 V
I D = 10 A
1.8
V GS = 10 V
I D = 10 A
1.6
6
4
1.4
1.2
1.0
2
0.8
0
0.6
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 10 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72771
S-80581-Rev. E, 17-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
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